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　　應(yīng)中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體所所長(zhǎng)蔡偉平研究員邀請(qǐng)，7月18日至22日，英國(guó)牛津儀器儀表等離子體技術(shù)公司（Oxford Instruments Plasma Technology，UK）方起研究員訪(fǎng)問(wèn)了固體所，并作了題為“原子層沉積系統(tǒng)（ALD）的發(fā)展與應(yīng)用”的學(xué)術(shù)報(bào)告，并與該所相關(guān)科研人員進(jìn)行了座談和討論。

　　ALD技術(shù)作為一種先進(jìn)的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，已經(jīng)在高介電和半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)等多方面得到了應(yīng)用。新型高介電柵介質(zhì)材料，納米材料和納米技術(shù)以及3D電子器件等是推動(dòng)ALD發(fā)展重要的需求動(dòng)力。方起研究員向大家介紹了ALD基本原理、發(fā)展歷程、應(yīng)用現(xiàn)狀和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，特別是等離子體增強(qiáng)ALD的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。方起研究員還針對(duì)ALD實(shí)驗(yàn)室建設(shè)和應(yīng)用提供了專(zhuān)業(yè)的建議和意見(jiàn)。