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霍尼韦尔?sh)子材料荣膺三星奥斯汀半导体持l进步奖Q出众品质量和先进材料技术受肯定

    2014q??1日,新泽西州莫里斯镇?-- 霍尼韦尔Q纽U证怺易所代码QHONQ电(sh)子材料于今天宣布获得三星奥斯汀半导体(SASQ颁发的三星持箋q步奖(SCIAQ,肯定?jin)霍韦(dng)在产品质量、材料技术以?qing)采购流E上的优质服务?

    霍尼韦尔?sh)子材料是三星奥斯汀半导体的靶材供应商,凭借出色的产品和服务获此殊荣。同时作为全球领先的溅镀靶材供应商,霍尼韦尔也向包括三星在内的众多半g厂商提供相关产品和服务,例如刉芯片内部连接线的金属溅镀材料{?

    “三星是公认的行业领导厂商,对品质和持箋q步有着很高的标准,能够从其手中接过q一奖项Q我们倍感荣幸。?霍尼韦尔副总裁兼电(sh)子材料部ȝ理大卫¯_(ki)格斯QDavid DiggsQ表C,“在半导体行业保持长胜的U诀在于能够于供应商和生产厂商之间保持一U紧密的互利p关系。此ơ得奖也正肯定了(jin)我们q一正确的努力方向。?

    三星奥斯汀半导体发赯一奖项计划的目的在于加强其与半g材料供应商之间的关系Qƈ推动产品品质的持l优化。鉴于全新芯片的设计的复杂性,且每一块芯片制作需要涉?qing)上N工序Q类g星这L(fng)生厂商侉K要借助他们的供应商来提供创新的材料技术和严格的质量标准?

    霍尼韦尔?sh)子材料隶属于霍韦(dng)特性材料和技术集团,产品包括微电(sh)子聚合物、电(sh)子化学品以及(qing)其他的先q材料。同Ӟ光属材料业务涵盖一pdq泛的品,例如物理气相沉积QPVDQ靶材和U圈l、贵金属热电(sh)偶以?qing)面向热理和?sh)子互联后端封装制E应用的低α放电(sh)镀x(chng)和先q散热材料等?

    多信息请咨询霍尼韦尔代表Q或讉Kwww.honeywell-pmt.com/sm/em/?

注:(x)本网转蝲内容均注明出处,转蝲是出于传递更多信息之目的Qƈ不意味着赞同其观Ҏ(gu)证实其内容的真实性?/div>
Q责ȝ辑:(x)xuQ?
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