5G通訊技術(shù)的到來,推動(dòng)了各式先進(jìn)電子儀器設(shè)備和聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速發(fā)展,如柔性便攜式智能電子、可穿戴電子、衛(wèi)星通信、飛行器、軍事及醫(yī)療設(shè)備等,電磁波作為信息傳輸?shù)闹匾浇椋苍谌找婵焖僭鲩L中不斷躍升能級(jí)。然而,電磁波技術(shù)的飛速發(fā)展在為我們生活帶來便利的同時(shí),也不可避免地帶來了電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)。能量和密度不斷增加的EMI輻射不僅會(huì)影響高精密電子設(shè)備的正常運(yùn)行,也會(huì)對人類健康造成威脅。因此,為了有效減弱電磁輻射(Electromagnetic radiation, EMR)污染,開發(fā)新一代高性能電磁干擾屏蔽材料至關(guān)重要。
圖5 (a)30PANI/PVDF@PANI納米纖維膜的EMI屏蔽機(jī)制。(b)本工作與PANI基復(fù)合材料的SE/t值的比較。(c)1.5m×0.6m 30PANI/PVDF@PANI納米纖維膜的照片。
PANI是一種低成本且電導(dǎo)率可控的介電材料,具有合成方便、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異、微波損耗等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最有前景的功能高分子之一。當(dāng)入射電磁波到達(dá)30PANI/PVDF@PANI復(fù)合膜的表面時(shí),由于其殼層具有優(yōu)異的導(dǎo)電性,導(dǎo)電的可移動(dòng)電子與電磁波相互作用,PANI殼層和PANI/PVDF核層界面的電特性差異引起了阻抗失配,導(dǎo)致大多數(shù)電磁波被反射回來,其余部分進(jìn)入復(fù)合膜內(nèi)部。傳入的電磁波與核層PANI中的大量電子相互作用,PANI自由電子發(fā)生移動(dòng)并形成電流來損耗其能量。此外,纖維的分層結(jié)構(gòu)也會(huì)導(dǎo)致電磁波在復(fù)合膜內(nèi)部多次反射,電磁波的傳輸路徑得到了擴(kuò)展,最終在復(fù)合膜內(nèi)外部多次反射直到完全衰減。穩(wěn)定的核-殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)為反射和吸收微波提供了更多的界面。30PANI/PVDF@PANI復(fù)合膜在厚度僅為1.2mm的情況下,實(shí)現(xiàn)了高性能EMI屏蔽性能(44.7dB)。此外,這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)賦予PANI/PVDF@PANI復(fù)合膜顯著的SE/t值372.5 dB? cm-1。隨著靜電紡絲技術(shù)的工業(yè)化發(fā)展,PANI/PVDF@PANI復(fù)合膜可實(shí)現(xiàn)規(guī);a(chǎn),滿足市場對輕薄柔軟電磁干擾屏蔽材料的需求。
原文鏈接: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c05021
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