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負(fù)偏壓增強金剛石膜與襯底結(jié)合強度的理論研究  
負(fù)偏壓增強金剛石膜與襯底結(jié)合強度的理論研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 金剛石膜  硅襯底  結(jié)合力  
資料大小： 100K
所屬學(xué)科：
來源： 來源網(wǎng)絡(luò)
簡介：
由于金剛石與Si有較大的晶格失配度和表面能差，利用化學(xué)氣相沉積（CVD）制備金剛石膜時，金剛石在鏡面光滑的Si表面上成核率非常低。而負(fù)襯底偏壓能夠提高金剛石在鏡面光滑的Si表面上的成核率，表明金剛石核與Si表面的結(jié)合力也得到增強。利用負(fù)偏壓增強CVD系統(tǒng)制備金剛石膜時，氣體輝光放電產(chǎn)生的離子對Si表面轟擊，使得Si襯底表面產(chǎn)生了微缺陷（凹坑），增大了金剛石膜與Si襯底的結(jié)合面積。本工作主要從理論上研究離子轟擊對金剛石膜與Si襯底結(jié)合力的影響。
上傳人：
上傳時間： 2007-07-11 14:23:33
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