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CdZnTe晶體(111)面、(110)面和(100)面的蝕坑形貌觀察  
CdZnTe晶體(111)面、(110)面和(100)面的蝕坑形貌觀察
資料類型： PDF文件
關鍵詞： 晶體生長  蝕坑密度  布里奇曼法  晶體定向  
資料大?。?/td> 400K
所屬學科：
來源： 來源網(wǎng)絡
簡介：
利用CdZnTe晶體晶面夾角之間的關系采用激光正反射法對改進布里奇曼法生長的CdZnTe單晶進行定向，研磨出了CdZnTe單晶體的（111）、（100）面。采用自行研制的HHKA腐蝕液對三個面進行擇優(yōu)腐蝕，得到了（111）、（100）和（110）面的腐蝕照片，并計算出了蝕坑密度（EPD）約為104~105/cm2數(shù)量級。結果表明生長晶體的質量較好。
上傳人：
上傳時間： 2007-07-06 13:35:45
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zhengsir2005    2009-03-20 13:43:28
very good
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