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資料類型: |
PDF文件
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關鍵詞: |
II-VI族化合物 碲鋅鎘 晶體生長 退火改性 晶體缺陷 |
資料大?。?/td>
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所屬學科: |
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來源: |
來源網絡 |
簡介: |
圍繞作者所在課題組近年來的研究工作,綜述了II-VI族化合物半導體晶體生長過程中的各種結構缺陷及其形成機理。從晶體生長過程和后續(xù)的熱處理過程兩個方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。 |
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上傳人: |
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上傳時間: |
2007-07-18 13:43:32 |
下載次數(shù): |
6982 |
消耗積分: |
2
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