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復旦大學梁子騏教授課題組《ACS Energy Lett.》綜述:聚合物熱電材料的分子結構設計與化學摻雜策略
2022-11-14  來源:高分子科技

  熱電(TE)能量轉換技術是一種基于澤貝克效應和珀爾帖效應實現熱能和電能之間直接轉換的清潔能源技術;跓o機半導體的熱電材料自兩個世紀前澤貝克效應被發(fā)現以來受到廣泛研究,取得了巨大的成就。在過去幾十年中,半導體π-共軛聚合物(π-CP)由于其電子和光學性質的分子可調性以及機械柔性和低溫溶液加工性等獨特優(yōu)勢,在有機光伏、有機發(fā)光二極管和有機場效應晶體管中越發(fā)受到關注。近年來,半導體聚合物對有機熱電領域做出了巨大貢獻,主要得益于其區(qū)別于無機物的無毒性、低熱導率和良好的機械彎曲性等優(yōu)勢。值得注意的是,與有機小分子相比,聚合物通常表現出更好的化學、熱、機械甚至輻射穩(wěn)定性,以及無與倫比的拉伸性和彎曲性,后者有助于與復雜熱源表面緊密粘合。因此,基于π-CP的熱電材料在可穿戴和便攜式電子設備中顯示出巨大的應用前景。


  近日,復旦大學材料系唐俊暉(博士研究生)、白雅馨(碩士研究生)及梁子騏教授受邀在ACS Energy Lett. 20227, 4299?4324上發(fā)表了題為Strategic Insights into Semiconducting Polymer Thermoelectrics by Leveraging Molecular Structures and Chemical Doping的綜述論文,就化學摻雜和分子結構設計策略協同增強聚合物材料的電導率(σ)與澤貝克系數(S)提供見解,以增強π-CP的熱電功率因子。首先,將化學摻雜機制分解為電荷轉移極化子和自由載流子的相繼產生兩個步驟,通過分子摻雜劑不同的能級和內在機制對其進行了比較討論以闡明p-型和n-型摻雜劑的選擇策略及用于增強化學摻雜程度的各類摻雜方法。其次,提出了包括π-主鏈調控和側鏈工程在內的聚合物結構的設計原則,旨在提高摻雜效率與載流子濃度(n),增強載流子遷移率(μ)并提供優(yōu)異的澤貝克系數,或各方之間的微妙平衡。再次,總結了改善薄膜形貌以解耦合電導率與澤貝克系數的其他策略,包括采用聚合物鏈取向及構建聚合物共混薄膜。最后,討論了聚合物熱電材料未來發(fā)展中存在的主要障礙,并展望了解決這些障礙的可行解決方案(圖1)。 


圖1. 聚合物熱電材料研究涉及的主要方法和策略


1.揭示化學摻雜對載流子輸運的影響


1.1摻雜劑的選擇與摻雜機理


  π-共軛聚合物由于其本征狀態(tài)下極低的載流子濃度和電導率,因此需要化學摻雜使其與分子摻雜劑之間產生足夠的電荷轉移,從而具有良好的電學性能以用作有機熱電材料;瘜W摻雜機制通常可分為兩類——電荷轉移和酸堿摻雜,前者通過電子/空穴的轉移實現,后者則通過氫負離子/質子的轉移實現。對于大多數分子摻雜劑,化學摻雜可分為兩個連續(xù)過程,即電荷轉移和自由載流子的釋放。根據電荷轉移程度(δ摻雜機制的不同,第一步的產物被分類為整數電荷轉移物種(ICT)和電荷轉移復合物(CTC),δICT= 10< δCTC<1,發(fā)生ICT過程的先決條件是摻雜劑和聚合物之間的能級合適,如2a所示。對于p-型摻雜,電子從π-CP的最高占據分子軌道(HOMO)能級到摻雜劑的最低未占據分子軌道能級(LUMO),因此摻雜劑的LUMO能級應比聚合物的HOMO能級更深。相反,對于n-型摻雜,摻雜劑的HOMO能級應比π-CPLUMO能級淺。與ICT過程不同,CTC的形成發(fā)生在π-CP和摻雜劑的前沿軌道雜化并產生一組新的分子軌道時。CTC的先決條件是聚合物和摻雜劑之間的強軌道耦合,而非特定的能級位置。如2b所示,上述電荷轉移過程發(fā)生之后,(雙)極化子產生并分別與摻雜劑陰/陽離子間形成庫侖作用力,被摻雜聚合物上的電荷開始沿著π-主鏈離域,自由載流子從陰-陽離子對中被釋放出來,從而極大改善了電學性能。因此,與主要決定聚合物載流子濃度的電荷轉移過程不同,這一摻雜步驟主要影響載流子遷移率——釋放的自由載流子越多,μ就越高。 


圖2. (a)分別形成ICT和CTC時π-共軛聚合物與摻雜劑之間的能級位置示意圖;(b)聚合物P3HT的化學摻雜過程示意圖。


1.2摻雜方法


  最常用的兩類化學摻雜方法包括混合摻雜和順序摻雜。其中,混合摻雜由于摻雜劑添加量的精細控制,其實驗可重復性相當高,并且可以通過精確調節(jié)摻雜水平以獲得最佳熱電性能。此外,混合摻雜方法在以相對低的成本獲得均勻摻雜的聚合物薄膜和大面積厚膜方面具有良好的前景。然而,混合摻雜存在兩個主要缺點:首先,產生的不溶性聚合物與摻雜劑的聚集體可能會阻礙高質量薄膜的獲得;其次,添加的摻雜劑將極大地干擾聚合物鏈的堆積,特別是在高摻雜濃度下會導致相對于未摻雜薄膜嚴重的相分離和糟糕的微觀結構。而順序摻雜方法包括溶液順序摻雜和蒸汽摻雜,這兩種方法都在聚合物成膜之后進行,因此有利于獲得高質量的微觀形貌和更優(yōu)的電導率。此外,近年來提出的混合摻雜、級聯摻雜、催化劑輔助摻雜等新方法有助于進一步提高摻雜效率,而離子交換摻雜則在提升摻雜態(tài)薄膜的空氣穩(wěn)定性方面提供了新的思路。


2.關聯聚合物分子結構與電學特性


2.1聚合物主鏈調控


  如3上半部分所示,大多數給體–受體(D–A)結構的p-型聚合物位于左上位置,D–π型聚合物位于右下位置,而A–π聚合物則位于兩者之間。D–π結構聚合物中無受體單元有助于其與摻雜劑間電荷轉移程度更高,因此σ更高;D–A型聚合物中的A單元促進了π-骨架的能量無序度,從而展現出較高的S。此外,大多數性能突出p-聚合物屬于D–π結構。然而,D–π結構聚合物通常表現出大于100 S cm–1高電導率但在高載流子濃度下,S通常低于50 μV K–1。鑒于可穿戴設備中溫度梯度通常較小,聚合物熱電材料的應用需要高SD–π聚合物似乎難以滿足這一需求。因此,D–A結構可能是實現卓越熱電性能的更好平臺。p-型聚合物的情況不同,在3下半部分沒有觀察到明顯的數據點區(qū)域聚集現象,主要原因是目前n-摻雜效率仍然很低文獻報道的最高σ100 S cm?1附近,大多數n-型聚合物的S大于?100 μV K?1。因此,為了趕上p-型聚合物的高電導率,以構建全聚合物基柔性熱電器件,A?πA?A型結構可能是更好的選擇,并通過精細地設計具有高共平面度的聚合物主鏈來實現高效的n-摻雜。 


圖3. 文獻報道中具有最佳熱電性能的p-型和n-型聚合物的總結。


2.2側鏈工程


  在π-共軛聚合物和摻雜劑之間發(fā)生電荷轉移之后,帶電摻雜劑通常通過嵌入聚合物的側鏈區(qū)域而存在。因此,摻雜劑和側鏈之間的相互作用對于確定摻雜效率和相應的電學性能至關重要。由于摻雜過程可分為電荷轉移產物的產生和自由載流子的釋放兩個步驟,因此存在兩種主要的提高摻雜效率的策略——A) 通過改善π-CP和摻雜劑之間的相容性來提高電荷轉移程度,以及(B)通過保持摻雜劑遠離聚合物主鏈來提高聚合物主鏈的π-離域程度。其中,前者的主要方法包括引入極性側鏈或在支化型烷基側鏈中設計更遠離主鏈的支化點;后者則可以設計雙親性側鏈,并使其中的極性部分位于側鏈尾部。


3.增強熱電性能的補充策略


3.1聚合物鏈取向


  通常,聚合物薄膜是通過在襯底上旋涂或滴涂聚合物溶液,然后對濕膜進行退火而形成的。相比之下,各種聚合物取向方法通常遵循相同的原理,即在特定的加工條件下使聚合物主鏈的有序度增加。因此,取向后的聚合物薄膜是各向異性的,不同于未取向薄膜在平面內方向上的各向同性。鑒于沿著聚合物π-主鏈的電荷傳輸速率比沿著層狀和π-π堆疊方向的更高,因此沿聚合物取向方向的載流子遷移率將顯著增強,從而極大提升熱電性能。文獻中已報道的幾種實現聚合物鏈取向的方法,包括機械拉伸、小分子外延、機械摩擦和刮涂等。有意思的是,在一些高結晶度聚合物中,取向方向的澤貝克系數也獲得了顯著提高。


3.2聚合物共混薄膜


  通過選擇特定的兩種聚合物材料構筑聚合物共混薄膜也有助于提升熱電性能。其中一類選擇原則是遵循態(tài)密度工程的要求,選擇兩種HOMO能級具有較大差異的聚合物,在特定共混比例下,費米能級與傳輸能級將分別處于兩種材料中,從而使其差值最大化,而與其成正比的澤貝克系數也將獲得顯著提高。另一類選擇原則是兩種聚合物的共混可以增強各晶區(qū)之間的電學相連性并降低最優(yōu)形貌的化學勢。


  原文鏈接:https://doi.org/10.1021/acsenergylett.2c02119

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(責任編輯:xu)
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