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華南理工殷盼超教授 Angew:聚合物亞納米粒子超分子復合膜用于高精度納米壓印
2024-12-24  來源:高分子科技

  納米壓印(NIL)是一種低成本高通量的微納表面制造技術,受到廣泛的關注和應用,尤其是在制備超表面、波導材料、集成電路等領域。與傳統(tǒng)的光刻技術相比,NIL具有成本更低,分辨率和生產效率更高等優(yōu)勢。熱壓印是NIL一種典型的工藝,通常先將基材表面的聚合物薄膜升高到玻璃化轉變溫度(Tg)之上,再將具有微納結構的模具(母版)以較高的壓力平行壓印到聚合物表面,使得軟化或者流動的聚合物填充于微納結構的縫隙內部,降溫后聚合物固化定型,揭下母版后聚合物膜表面就會保持和母版納米形貌互補的圖案。然而熱壓印技術通常要求較高的溫度和壓印壓力,工藝參數(shù)苛刻,不僅限制了壓印膠和母版材料的類型,也容易降低母版的使用壽命。相比之下,紫外固化壓印在一定程度上克服了熱壓印的缺點,該技術采用低粘度的紫外光固化膠,在室溫下和低壓印壓力的條件下可充滿母版的縫隙里,之后在較高功率的紫外光照射下迅速固化,保留下互補的微納圖案。然而紫外光的穿透能力較弱,通常以石英材料作為母版,而且對膠層的厚度有較大的限制。此外,紫外光固化膠里的有機溶劑容易溶解/溶脹其他聚合物材料,因此以聚合物作為基底材料的選擇并不多。綜上,納米壓印技術領域亟需一類溫和的,且能夠在室溫下和低壓印壓力條件下實現(xiàn)超高精度納米形貌轉印的新材料。


  盡管通過溶液澆鑄可以輕松實現(xiàn)大面積聚合物薄膜的制備,但是體系固化過程中累積的殘余應力(RS)及其釋放過程會對NIL空間精度造成破壞性的影響。殘余應力源于非平衡態(tài)聚合物鏈的凍結,其影響包括聚合物材料微觀缺陷的形成和宏觀不均勻收縮。RS的累積效應在用溶液澆鑄制備的聚合物薄膜中更為嚴重——聚合物鏈段運動跟不上快速的傳質過程(溶劑的揮發(fā))。盡管利用增塑劑可以加快聚合物鏈段運動,從而盡量消除RS的累積,但該方法會導致聚合物模量和抗蠕變性能降低,因此不能提供足夠的尺寸穩(wěn)定性以維持納米圖案的精確度。


  基于在聚合物及其納米復合體系的結構和松弛動力學領域的長期研究和積累,華南理工大學殷盼超教授團隊設計了一種超分子復合體系,將水性的聚乙烯醇(PVA)和亞納米尺度的Keggin型多金屬氧簇(POM)通過簡單的水溶液共混獲得了低殘余應力、高透光、高強度和高模量的薄膜,可用于亞2 nm分辨率的納米壓。∟IL)、高曲率表面和多種物理化學性質表面微納結構的轉印。PVA是一類水溶性、高透光且力學性能優(yōu)異的商用聚合物,廣泛應用在粘接劑、光學膜和生物醫(yī)用材料領域。PVA膜材通常使用水溶液澆鑄制備,通常認為其結晶的特性使得干燥得到的薄膜具有顯著的殘余應力(RS),體現(xiàn)為宏觀上不均勻收縮和翹曲(圖1)。為了能夠高效抑制PVA的結晶,同時又能夠保證薄膜能維持相當?shù)膹姸群湍A浚▍^(qū)別于小分子增塑劑),作者使用了尺寸約為1 nm的Keggin型磷鎢酸(PTA)與PVA進行復合。PTA是一類具有明確化學結構和空間結構的離子型團簇,表面具有豐富的端氧基,能夠與PVA豐富的醇羥基產生密集而強的超分子相互作用,驅動PVA從晶態(tài)向無序態(tài)轉變。小角X射線散射(SAXS)結果表明,清晰完整的形狀因子(P(q))驗證了PTA團簇在PVA基質中以單粒子的形式分散。PTA 之間的平均距離可以根據(jù)結構因子(S(q))計算得出,并且它隨著 PTA 分數(shù)的增加而減小,如圖 1c 中的灰色箭頭所示。團簇之間極小的間距(即 PVA32 的間距為 1.3 nm,按 2π/q 計算)使得PVA鏈段有序的堆積受限,因此顯著地抑制了PVA的結晶行為。此外,PVA-PTA薄膜的宏觀翹曲和雙折射效應也同時表明通過PTA的復合可以有效降低PVA復合薄膜的RS。


圖1. PVA-PTA復合薄膜的微觀結構和殘余應力表征


  通過小振幅振蕩剪切(SAOS)監(jiān)控PVA-PTA溶液體系揮發(fā)過程中的儲能模量(G’)變化,可利用G’的轉變來定義體系的液固轉變。根據(jù)Croll理論,當液固轉變處殘余溶劑的體積分數(shù)越大,終態(tài)的絕干薄膜的殘余應力越大。圖2表明,當溶劑體積分數(shù)大于30%時,相比于純PVA體系,PVA-PTA體系具有更快的鏈段運動,且隨著PTA的含量提高而加快。與傳統(tǒng)的膠體和無機納米粒子不同的是,超小水合 PTA 簇具有更快的動力學,可作為 PVA 鏈的“增塑劑”,因此在低水含量的情況下仍能加速聚合物鏈動力學和內部應力松弛。隨著水分的進一步流失,PVA 和 PTA 之間的密集氫鍵從動態(tài)變?yōu)殪o態(tài),此時PTA作為形成物理網絡的高密度交聯(lián)點,維持了復合體系較高的強度和模量。該設計成功打破了低RS和高模量二者的權衡問題,從分子層面解決了溶液澆鑄工藝用于實現(xiàn)高精度NIL的基礎問題。


圖2. 監(jiān)控PVA-PTA體系在溶液揮發(fā)過程中的應力累積,表明PTA加快了PVA的鏈段動力學。


  PVA-PTA溶液澆鑄薄膜的表面具有亞納米級的粗糙度(圖3),這是實現(xiàn)高分辨率NIL的基礎。將PVA-PTA溶液傾倒在刻有亞 2 nm高度的晶圓表面,在室溫下?lián)]發(fā)干燥即可得到面積大于100 cm2,有自支撐性,且分辨率高達亞2 nm的圖案化聚合物膜。高達2GPa的模量保證了納米圖案的尺寸穩(wěn)定性和長期穩(wěn)定性(圖2)。值得注意的是,該水性體系溫和無腐蝕性,NIL工藝簡單且無需高溫和高壓印壓力,因此適用于高曲率和多種物理化學性質的微納結構表面,甚至適用于脆弱的功能性生物表面,例如蟬翼和植物葉片表面(圖4)。此外可利用該體系的濕度敏感性,在一定的高濕度下使其軟化,利用薄膜自身重力填充入母版縫隙,或是利用壓力輔助壓印,干燥失水后即可得到圖案化的聚合物膜。


  通過分子設計得到的聚乙烯醇-多金屬氧簇復合體系打破了低RS和高模量的權衡關系。此外,該材料的制備成本低,工藝簡單,NIL薄膜的精度高且可以大面積制備,在集成電路和光波導材料等重要器件的先進制造領域具有非常重要的研究價值。


圖3. 通過簡單的溶液澆鑄法大面積制備亞2 nm圖案的高平整自支撐薄膜


圖4. 不同物理化學性質表面的拓印效果


  這一成果近期發(fā)表在Angewandte Chemie International Edition上,本文的第一作者是華南理工大學博士生陳家董,華南理工大學博士生堯晟林、本科生王斌、碩士生郁強、博士生薛炳輝為該工作提供了大量的支持。本文的通訊作者是華南理工大學殷盼超教授。


  文章信息

  Polymer Films’ Residual Stress Attenuation from the Supramolecular Complexation with Ultra-Small Nanoparticles for High Resolution Nanoimprint Lithography

  Jiadong Chen, Shenglin Yao, Bin Wang, Qiang Yu, Binghui Xue, Panchao Yin*

  Angew. Chem. Int. Ed. 2024, ASAP

  DOI: 10.1002/anie.202416759

  論文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202416759

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(責任編輯:xu)
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